Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (1), P. 048-053 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.01.048
Дозова залежність тензоопору при симетричному розміщенні осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів у γ-опромінених (60Со) кристалах n-Si
Г.П. Гайдар
Анотація. На кристалах n-Si досліджено дозову залежність тензоопору rX /0, що вимірювався при розміщенні осі направленого деформування (стиску) симетрично щодо всіх ізоенергетичних еліпсоїдів як у вихідних, так і в -опромінених зразках. Показано, що зміна доз опромінення супроводжується не тільки кількісними, але й якісними змінами функціональної залежності rX /r0 = f (Х). З’ясовано особливості тензоопору в опромінених зразках n-Si у залежності від трьох кристалографічних напрямків, вздовж яких вирізалися зразки і прикладалося механічне напруження Х.
Ключові слова: кремній, y-опромінення, механічне напруження, вісь деформації, тензоопір.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.