Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (1), P. 058-064
(2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.01.058
Вплив забороненої зони напівпровідникових квантових точок на реабсорбцію в люмінесцентному концентраторі
A.I. Шкребтій1, A.В. Саченко2, I.O. Соколовський2, В.П. Костильов2, М.Р. Куліш2
2Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
Анотація. Досліджено вплив середнього радіуса та його дисперсії напівпровідникових квантових точок (КТ), що використовуються в люмінесцентних сонячних концентраторах (ЛСК), на реабсорбцію. Для мінімізації шкідливих втрат реабсорбції в ЛCК розглянуто шість напівпровідників, що використовуються для виготовлення КТ з широким діапазоном об’ємної забороненої зони Eg0, зокрема: CdS (Eg0 = 2.42 eV), CdSe, (Eg0 = 1.67 eV), CdTe, (Eg0 = 1.5 eV), InP (Eg0 = 1.27 eV), InAs (Eg0 = 0.355 eV) та PbSe (Eg0 = 0.27 eV). Змінюючи і , можна визначити оптимальний розмір для мінімальної реабсорбції. Як було показано, зменшуючи величину напівпровідникової об’ємної забороненої зони з 2,42 до 1,24 еВ, можна отримати такий оптимальний розмір КТ , що реабсорбція призводить до зниження навіть нижчого, ніж комбінована експериментальна похибка визначення коефіцієнта поглинання та інтенсивності люмінесценції. Однак подальше зменшення забороненої зони Eg0 збільшує реабсорбцію при будь-яких значеннях і : наприклад, для основаних на PbSe КТ радіуса 1 нм і дисперсії 1% реабсорбція досягає 54%.
Ключові слова: фотолюмінесценція, квантові точки, люмінофор, реабсорбція, сонячні панелі, ефективність, концентратор.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.