Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (1), P. 100-104 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.100

Дослідження Ge p-i-n фотоприймача в складі макета імпульсу лазерного далекоміра
А.В. Федоренко1, І.О. Ворона2, В.П. Маслов1

1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, 41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна 2Інститут монокристалів НАН України, 61001 Харків, Україна

Анотація. Описано процес виготовлення дифузійним методом швидкодіючих Ge p-i-n фотодіодів для лазерного далекоміра з максимумом фоточутливості на довжині хвилі 1,54 мкм та новим пасивуючим шаром ZnSe. Проведено теоретичне моделювання роботи далекоміра в реальних умовах для визначення вимог до чутливості фотоприймача. Експериментально досліджено порогову чутливість розробленого фотоприймача в складі макета лазерного далекоміра. Встановлено відповідність між розрахованими значеннями та чутливістю фотоприймача, що дозволило зробити висновок про можливість його застосування в складі лазерного далекоміра.

Ключові слова: Ge, p-i-n фотодіод, імпульсний лазерний далекомір, дальність дії, порогова чутливість фотоприймача.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.