Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (1), P. 43-47 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.043

Вплив приповерхневих областей просторового заряду у напівпровідникових кристалах на деформаційне перетворення, стимульоване дією магнітних полів
Г.В. Міленін1, Р.А. Редько1,2

1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
2Державний університет телекомунікацій, 7, вул. Солом’янська, 03110 Київ, Україна

Анотація. Проаналізовано механізми електромагнітного випромінювання у приповерхневих областях напівпровідників, збіднених основними носіями заряду під дією магнітних полів, вектор індукції яких паралельний поверхні кристала. Отримано співвідношення для оцінки потужності випромінювання областей просторового заряду.

Ключові слова: напівпровідниковий кристал, просторовий заряд, магнітне поле, гальмівне випромінювання, циклотронне випромінювання.

Текст статті (PDF)


Назад до 24 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.