Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (1), P. 006-009 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.01.006

Термічна стабільність електричних параметрів кристалів кремнію, легованих нікелем під час вирощування
M.К. Бахадирханов1, К.А. Ісмаїлов2, Е.Ж. Косбергенов2

1Tashkent State Technical University,
Universitetskaia str. 2, 100095, Tashkent, Uzbekistan
2Karakalpak State University named after Berdakh,
230112, Nukus, Uzbekistan
E-mail: kanatbay.ismailov@gmail.com, ernazar.kosbergenov@gmail.com

Анотація. У даній роботі показано, що легування атомами нікелю в процесі вирощування кристала кремнію дозволяє отримати матеріал зі стабільними електрофізичними параметрами в процесі термовідпалу в широкому інтервалі температур 450...1050 °С та тривалості (t = 0,5 ... 25 год). Це найбільш економічно ефективний спосіб створення матеріалу для напівпровідникових приладів і сонячних елементів зі стабільними параметрами.

Ключові слова: кремній, термодонор, нікель, легування, термостабільність.

Текст статті (PDF)


Назад до 25 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.