Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (1), P. 030-035 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.01.030

Енергетичний критерій стійкості дефектів у напівпровідникових кристалах до дії зовнішніх полів
Г.В. Міленін1, Р.A. Редько1,2, С.М. Редько1

1Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
2State University of Telecommunications, 7, Solomenska str., 03110 Kyiv, Ukraine
E-mail: milenin.gv@gmail.com; redko.rom@gmail.com

Анотація. Сформульовано критерій стійкості дефектів у напівпровідникових структурах до дії магнітних та електричних полів, електромагнітного випромінювання, акустичних хвиль, механічних напружень. Отримано аналітичні співвідношення для порогових параметрів зовнішніх полів, у яких спостерігається трансформація дефектів. Наведено результати розрахунків порогових значень індукції магнітного поля, що викликають зміну стану дислокацій та кластерів дефектів у напівпровідникових кристалах.

Ключові слова: напівпровідник, дефект, магнітне поле, електромагнітне випромінювання, акустична хвиля, механічне напруження.

Текст статті (PDF)


Назад до 25 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.