6. M. Nishiguchi, T. Hashinaga, H. Nishizawa, H. Hayashi, N.†Okazaki, M. Kitagawa, T. Fujino // IEEE Trans. Nucl. Sci.,NS-37, p.2071 (1990). https://doi.org/10.1109/23.101231
7. G. P. Summers, E. A. Burke, P. Shapiro, S. R. Messenger, R.†J.†Walters // IEEE Trans. Nucl. Sci., 40, p.1372 (1993). https://doi.org/10.1109/23.273529
10. N. Arpatzanis, M. Papastamatiou, G. J. Papaioannou, Z. Hatzopoulos, G. Konstandinides // Semicond. Sci. Technol., 10, p.1445(1995). https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/11/003
11. P. S. Winokur //Trans. Amer. Nucl. Soc., 59, p.22 (1989).
12. B. Grandidier, D. Stievenard, D. Deresmes, O. Vanbesien, D.†Lippens, J. L. Lorriaux, M. Zazoui // In: 17th Intern. Conf. On Defects in Semiconductors, Gmunden, Austria, July 18-23, Abstracts, p.197 (1993).
13. J. M. Mao, J. M. Zhou, R. L. Zhang, W. M. Jin, C. L. Bao, Y.†Huang // Appl. Phys. Lett., 56, p. 548 (1990). https://doi.org/10.1063/1.102741