Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (2), P. 125-129 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.02.125
Феномен магнітного зсуву у феромагнітних нанокомпозитах, вирощених шляхом електронно-променевого випаровування
М.В. Радченко1, Г.В. Лашкарьов1, М.Є. Бугайова1, О.Є. Байбара1, W. Knoff2, T. Story2, Л.А. Крушинська3, Я.А. Стельмах3, Y. Dumond4
2Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, Poland
3Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона, Національна Академія наук України,
68, вул. Антоновича, Київ, Україна
4Laboratoire GEMaC, University of Versailles St Quentin en Yvelines, Versailles, France
Анотація. Розгляд різних задач фізичної кінетики показує, що нерівноважна функція розподілу зонних носіїв і відповідно кінетичні коефіцієнти істотно залежать від конкретної форми зон і специфічної взаємодії носіїв. Найбільш вражаючі результати пов’язуються з міжзонним розсіюванням рухомих частинок, які належать до багатодолинних зонних систем.Вперше у феромагнітних нанокомпозитах Co/СoO/Al2O3, утворених двотигельним електронно-променевим випаровуванням з осадженням на полікорові підкладки, спостерігався магнітообмінний зсув. Це пов’язано з магнітною взаємодією ядра феромагнітного металу наночастинки Co з антиферомагнітним шаром CoO на їх поверхні. Низькі значення магнітообмінного зсуву пов’язані з невеликою товщиною оболонки CoO, оскільки енергія обмінної магнітної анізотропії, яка зменшується зі зменшенням антиферомагнітної товщини шару CoO, не може забезпечити суттєвого збільшення коерцитивної сили при зміні напрямку магнітного поля. Феромагнітні нанокомпозити з магнітообмінним зсувом можуть бути використані як магнітний шар для магніторезистивних датчиків.
Ключові слова: нанокомпозити, феромагнітні наночастинки, магнітообмінний зсув, електронно-променеве осадження.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.