Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (2), P. 130-133 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.02.130
Ефекти самоорганізації в опромінених напівпровідникових кристалах, зумовлені термовідпалом
М.В. Завада1, О.В. Конорева1, П.Г. Литовченко1, В.Я. Опилат2, М.Б. Пінковська1, О.І. Радкевич3, В.П. Тартачник1
2Київський Національний Університет імені Тараса Шевченка,
64/13, вул. Володимирська, 01601 Київ, Україна
3Науково-дослідний інститут мікроприладів,
НТК «Інститут монокристалів» НАН України,
3, вул. Північно-Сирецька, 04136 Київ, Україна
Анотація. Проведено відпал напівпровідникових сполук GaP, CdP2, опромінених електронами різних енергій (1…30 МеВ) та -частинками (80 МеВ). Виміряно та проаналізовано електричні параметри (електропровідність σ, рухливість носіїв μ, концентрація електронів n) та час життя позитронів. При перевищенні концентрації радіаційних пошкоджень понад певну критичну величину спостерігається формування якісно інших порушень: на кривій ізохронного відпалу виникають осциляційні піки, виникають дефекти структури з великим перерізом розсіяння та захвату носіїв струму. Високотемпературний відпал опроміненого зразка з підвищеною концентрацією вакансій призводить до виникнення в ньому вакансійних пустот зі зниженою електронною густиною.
Ключові слова: фосфат галію, дефекти, електронне опромінення, самоорганізація, відпал.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.