Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (2), P. 200-205 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.02.200
Порівняння властивостей тонких плівок оксиду титану, сформованих шляхом швидкого термічного відпалу на підкладках SiC та пористого SiC
Ю.Ю. Бачеріков1, Р.В. Конакова1, O.Ф. Коломис1, O.Б. Охріменко1, В.В. Стрельчук1, O.С. Литвин2, Л.M. Капітанчук3, A.M. Свєтлічний4
2Київський Національний Університет імені Бориса Гринченка, Київ, Україна
3Інститут електрозварювання імені Євгена Патона НАН України, Київ, Україна
4Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
Анотація. Проведено порівняльний аналіз оптичних характеристик структур TiO2/SiC и TiO2/por-SiC/SiC. Показано, що в даних структурах незалежно від структури підкладки формуються шари TiO2 приблизно однакової ширини ~ 60 нм. При цьому склад плівки TiO2 близький до стехіометричного. Водночас, присутність у структурі TiO2/por-SiC/SiC додаткового пористого шару призводить до розмиття межі поділу оксидна плівка/підкладка, проте сприяє росту інтенсивності сигналу раманівського розсіювання світла від оксидного шару.
Ключові слова:тонкі плівки оксиду титану, SiC підкладка, межа поділу, пористий шар.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.