Анотація. Показано, що щільність поверхневих станів на межі структури Al–Al2O3–p-CdTe–Mo є достатньо низькою. Було встановлено, що на межі поділу, яка перебуває в термодинамічно рівноважному стані, є вигин краю дозволених зон, про що свідчать значення поверхневого потенціалу, який дорівнює 0,17 еВ до та 0,25 еВ після обробки. З’ясовано, що поверхневі стани в нижній половині забороненої зони майже повністю відпалені. Показано, що ультразвукова обробка значно впливає на коливання поверхневих зарядів на межі поділу та усуває нестабільні точкові дефекти, розташовані у поверхневому шарі напівпровідника. Виявлено, що ультразвукова обробка практично не впливає на закономірності проходження струму як у прямому, так і в зворотному напрямках. Показано, що після ультразвукової обробки прямий струм збільшується приблизно на 25… 30%, а зворотний струм зменшується на 6… 9%, коефіцієнт випрямлення збільшується в 1,4 раза.

Ключові слова: ультразвукова обробка, плівка, бар’єр Шотткі, діодна структура.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 22 (2)