Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (2), P. 188-192 (2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.02.188
Вольт-амперна характеристика інжекційного фотодіода на основі структури (M)In–n-CdS–p-Si–(M)In
І.Б. Сапаєв1, Б. Сапаєв2, Д.Б. Бабаянов3
2Ташкентський державний аграрний університет, вул. Університетська, 2, 100140 Ташкент, Узбекистан
3Турінський політехнічний університет у Ташкенті, вул. Ніязова, 17, 100095 Ташкент, Узбекистан E-mail: sapaevibrokhim@gmail.com
Анотація. Досліджено вольт-амперну характеристику інжекційного фотодіода на основі структури (M)In–n-CdS–p-Si–(M)In, яка може працювати в широкому спектральному діапазоні електромагнітного випромінювання при кімнатній температурі. Встановлено, що вольт-амперна характеристика для таких структур має степеневу залежність струму від напруги. Показано, що в області різкого збільшення струму вольт-амперної характеристики участь комплексів домішкових дефектів у процесах рекомбінації стає визначальною.
Ключові слова: інжекція, вольт-амперна характеристика, комплекси домішкових дефектів, процеси рекомбінації.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.