Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (2), P. 179-184 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.02.179

Польові ефекти в опромінених електронами світлодіодах GaP
Р.М. Вернидуб1, О.І. Кириленко1*, О.В. Конорева2, Я.М. Оліх3, О.І. Радкевич4, Д.П. Стратілат5, В.П. Тартачник5

1National Pedagogical Dragomanov University, 9, Pyrohova str., 01601 Kyiv, Ukraine
2E.O. Paton Electric Welding Institute, NAS of Ukraine, 11, Kazymyr Malevych str., 03150 Kyiv, Ukraine
3V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 41, prospect Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine
4SE “SRI of Microdevices” STC “Institute for Single Crystals”, NAS of Ukraine,
3, Severo-Syretska str., 04136 Kyiv, Ukraine
5Institute for Nuclear Research, NAS of Ukraine, 47, prospect Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine
*Corresponding author e-mail: etfa@ukr.net

Анотація. Наведено результати досліджень польових ефектів, які спостерігаються у вихідних та опромінених електронами з Е = 2 МеВ, F = 8.2·1016 см–2 світлодіодах фосфіду галію (GaP) при зворотному зміщенні. Розглянуто процеси лавинного множення носіїв струму та тунельного пробою у межах області просторового заряду. Виявлено зростання пробійної напруги після електронного опромінення. Проаналізовано наслідки відпалу вихідних та опромінених діодів у інтервалі температур 20…500 oС.

Ключові слова: GaP, світлодіод, польові ефекти, електронне опромінення, вольт-амперні характеристики.

Текст статті (PDF)


Назад до 25 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.