Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 27 (2), P. 176-183 (2024).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo27.02.176


Фазовий перехід та порівняльне дослідження системи наночастинок CuxCd1–xS (x = 0.8, 0.6, 0.4 та 0.2)
M.M. Rose, R.S. Christy, T.A. Benitta, J.T.T. Kumaran

Анотація. Суміш наночастинок CuxCd1–xS (x = 0.84, 0.6, 0.4 та 0.2) отримано хімічним осадженням під дією мікрохвильового випромінювання. Кристалічну структуру, розмір і морфологію поверхні синтезованих наночастинок було досліджено методами дифракції рентгенівських променів та скануючої електронної мікроскопії. Наявність у зразках міді, кадмію та сірки в належних співвідношеннях було підтверджено енергодисперсним рентгенівським аналізом. Вимірювання електричного опору при постійному струмі у діапазоні температур 300…500 K продемонстрували, що у всіх зразках відбувається фазовий перехід при температурі, вищій за певну температуру.

Ключові слова:наночастинки, хімічне осадження, фазовий перехід, ширина забороненої зони, електричний опір.

Текст статті (PDF)


Назад до 27 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.