Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 27 (2), P. 184-188 (2024).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo27.02.184


Виготовлення та характеристика евтектичних систем Sb2Se3-GaSe
M.M. Rose, R.S. Christy, T.A. Benitta, J.T.T. Kumaran

Анотація. Евтектичні композити Sb2Se3-GaSe було синтезовано вертикальним методом Бріджмена. Рентгенівський аналіз і структурні дослідження евтектики Sb2Se3-GaSe показали рівномірний розподіл включень Sb2Se3 у матриці GaSe. У системі Sb2Se3-GaSe було досліджено три точки евтектики. Було визначено, що склад трьох евтектик, утворених у системах Sb2Se3-GaSe, становить 80, 55 та 40 мас.% Sb2Se3, а відповідні температури плавлення становлять 776, 725 та 698 K. Спостерігали анізотропію електричних властивостей евтектичних систем. Ступінь анізотропії становив ~103 залежно від напрямку кристалізації.

Ключові слова:XRD, SEM та EDX аналіз, диференціальна скануюча калориметрія, раманівські спектри, евтектична система.

Текст статті (PDF)


Назад до 27 (2)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.