Анотація. Систематизовано дані про електронні рівні, індуковані дефектами в наноструктурах In(Ga)As/(In)GaAs, їхню локалізацію, енергію активації та ідентифікацію. Перераховано точкові дефекти, властиві GaAs і виявлені в наноструктурах на основі (In)GaAs, а також уточнено їх класифікацію, включаючи EB3, EL2, EL3, EL4 (M4), EL5, EL6 (M3), EL7, EL8, EL9 (M2), EL10 (M1), EL11 (M0) і M00. Описано вплив інтерфейсів на формування різних типів протяжних дефектів. Усі рівні електронних пасток, виявлені в гетероструктурах із квантовими ямами, нанодротинками та точками за допомогою спектроскопії глибоких рівнів, зібрані в таблицю із зазначенням методики виявлення, об’єкта, розташування в структурі та припущенням про їхнє походження. Цей огляд може бути корисним як довідковий матеріал для дослідників, які вивчають такі наноструктури.

Ключові слова:InAs/GaAs, наногетероструктури, дефект, електронний стан, спектроскопія глибоких рівнів.

Текст статті (PDF)

Назад до 27 (2)