Анотація. Вимірювались спектри випромінювання білих світлодіодів (СД) InGaN/GaN, основні складові яких – лінія голубого СД з λmax=443 нм та широка роздвоєна смуга вторинного випромінювання люмінофора AIT-YAG (Ce) λ = 500…650 нм. Немонотонна залежність інтенсивності свічення від температури зумовлена посиленням ефекту екранування внутрішніх полів вільними носіями, а також тепловим гасінням у результаті підвищення щільності фононного газу. В інтервалі температур 200…290 K виявлено підвищення коефіцієнта перетворення потужності випромінювання люмінофором; загальні втрати на Стоксове зміщення становлять ΔЕ1 = 82%; ΔЕ2 = 77% для першої і другої смуги відповідно. Сповільнення інтенсивності випромінювання при значних струмах збудження І > 20 мА може бути пов’язаним із балістичним перенесенням носіїв над квантовими ямами та подальшою безвипромінювальною рекомбінацією у бар’єрних шарах. Висловлюється припущення, що за існування довготривалих релаксаційних процесів у білих СД несуть відповідальність скупчення атомів In. Опромінення електронами приводить до падіння інтенсивності свічення білих СД внаслідок введення в область квантових ям глибоких безвипромінювальних рівнів радіаційних дефектів. Радіаційна стійкість люмінофора виявляється вищою від стійкості СД InGaN майже в 1,6 раза.

Ключові слова:білі СД, InGaN, AIT-YAG, гамма-опромінення, спектральні характеристики білих СД.

Текст статті (PDF)

Назад до 27 (2)