Анотація. Досліджено поляризаційні криві контакту p-GaAs – водний розчин HF із концентрацією HF від 1 до 10 мас.%. Форма кривих при співставленні з аналітичними виразами, отриманими із загального рівняння електрохімічної кінетики для окремих випадків перерозподілу електродного потенціалу між шарами Гельмгольца та областю просторового заряду (ОПЗ) напівпровідника, відповідала тому, що обмінні реакції на межі поділу p-GaAs – водний розчин HF при використаних у роботі концентраціях HF відбуваються переважно крізь валентну зону за участю дірок, а електродний потенциал перерозподіляється між ОПЗ напівпровідника та шаром Гельмгольца. Визначено інтервали густини струму, в яких відбувається перенесення носіїв заряду крізь фазову межу p-GaAs – водний розчин HF (електрохімічна стадія), струми обміну при катодному та анодному зсувах, коефіцієнт перенесення носіїв заряду при катодному зсуві.

Ключові слова: рівняння електрохімічної кінетики, електродний потенціал, шар Гельмгольца, область просторового заряду, коефіцієнт перенесення носіїв заряду.

Посилання

Назад до 21 (3)