Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (3), P. 235-239 (2022).
До 95-річчя від дня народження професора Е. І. Рашби (знову оглядаючись назад)
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Анотація.
Теорія спін-орбітальної взаємодії, розроблена Е.І. Рашбою більше 30 років тому, стимулювала бурхливий розвиток нової дисципліни – спінтроніки – фізики процесів і пристроїв, основаних на управлінні спінами. У статті узагальнено досягнення професора Рашби на ранньому етапі його наукових досліджень, зокрема тих, що проводилися в Україні. Серед них – передбачення електричного дипольного спінового резонансу (EDSR), фазових переходів у спін-орбітальних зв’язаних системах, викликаних зміною топології поверхні Фермі, сили гігантського осцилятора домішкових екситонів і співіснування вільних і самозахоплених екситонів.
Фізика твердого тіла є основою сучасної електроніки та оптоелектроніки. Різні електронні, оптичні, акустичні та інші ефекти і процеси у твердому тілі визначають характеристики сучасних твердотільних пристроїв. Багато груп і тисячі дослідників залучені до відкриття, вивчення та використання відповідних нових явищ. Серед них професор Еммануїл Рашба з його видатними результатами у фізиці кристалів розглядається (підноситься) як глибока особистість. Його внесок у майже всі галузі фізики твердого тіла неможливо перебільшити, деякі з його результатів знайшли важливе застосування. Проф. Є.І. Рашба відомий як один із провідних теоретиків в Україні, в Радянському Союзі, потім він продовжив успішну кар’єру в США.
Хоча минуло вже багато років, наукова громадськість України пам’ятає професора Є.І. Рашбу і з вдячністю оцінює його вплив на становлення досліджень конденсованого стану в нашій країні. Цей короткий текст присвячено професору Є.І. Рашба і написано з нагоди його дня народження.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.
|