Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (3), P. 240-253 (2022).
Бі-електрон, що обертається, у двовимірних системах з одно-електронною енергією типу мексиканського капелюха
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, Анотація.
Ряд нових двовимірних матеріалів і наноструктур демонструє складну залежність одно-електронної енергії від імпульсу, яка подібна мексиканському капелюху. У статті проаналізовано взаємодію пари електронів з такою енергетичною дисперсією. Показуємо, що відносний рух електронної пари має дуже своєрідний характер. Наприклад, траєкторії в реальному просторі, які відповідають електрон-електронному розсіюванню, можуть мати три точки розвороту, точки розвороту при ненульовому радіальному імпульсі та інші незвичайні особливості. Незважаючи на відштовхувальну кулонівську взаємодію, два електрони можуть з’єднуватися, утворюючи складну квазічастинку – бі-електрон. Бі-електрон відповідає збудженим станам дво-електронної системи. Оскільки бі-електронні зв’язані стани існують у континуумі вільних станів електронної пари, ці стани є квазі-резонансними та мають скінченний час життя. Виявлено, що бі-електрон, який обертається, є довгоіснуючою складною квазічастинкою. Обертові бі-електрони можуть перебувати в русі. Для повільного руху бі-електронів визначено кінетичну енергію та ефективну масу. Через сильно непараболічну дисперсію енергії поступальний рух бі-електрона є пов’язаним з його внутрішнім рухом. Це приводить до того, що ефективна маса залежать від квантових станів бі-електрона. У статті властивості бі-електрона проілюстровано на прикладі біграфену, до якого прикладено поперечне електричне поле.
Ми вважаємо, що дослідження обертових бі-електронів, що утворюються при одно-електронній дисперсії енергії подібної до мексиканського капелюха, можуть виявити нові цікаві ефекти у фізиці двовимірних кристалів при низьких температур.
Ключові слова: бі-електрон, енергетична дисперсія, біграфен. This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.
|