Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (3), P. 275-281 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.03.275


Дослідження кристалів Cd1–xMnxTe методами стаціонарного та імпульсного ЕПР з різним вмістом Mn
Д.В. Савченко1,2,*, М.К. Рясна1, М.В. Чурсанова1, Т.В. Матвєєва1, Н.О. Попенко3, І.В. Іванченко3, К.М. Калабухова4

1National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”
37, prosp. Peremohy, 03056 Kyiv, Ukraine
2Institute of Physics of the CAS, 2 Na Slovance, 182 21 Prague, Czech Republic
3O. Usikov Institute for Radiophysics and Electronics, NAS of Ukraine
12, Proskura str., 61085 Kharkiv, Ukraine
4V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine
41, prosp. Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine
*Corresponding author e-mail: dariyasavchenko@gmail.com


Анотація. Досліджено кристали телуриду марганцю кадмію (Cd1–xMnxTe) (x < 0,001 та x = 0,02, 0,04, 0,1), вирощених за методом Бріджмена, із застосуванням стаціонарного та імпульсного електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) у широкому діапазоні температур. Кристали Cd1–xMnxTe з x < 0,001 виявили спектр ЕПР ізольованого Mn2+ з g⊥ = g∥ = 2,0074(3), |A⊥| = |A∥| = 56,97 ⋅ 10–4 cм–1, |a| = 30.02 ⋅ 10–4 cм–1, у той час як кристали Cd1–xMnxTe з x = 0,02…0,04 характеризуються двома поодинокими широкими ізотропними лініями ЕПР лоренцевої форми (g ~ 2,009 та g ~ 1,99) за рахунок присутності кластерів Mn різних розмірів. Спектр ЕПР кристалів Cd1–xMnxTe з x = 0,01 складається з однієї широкої лінії при g ~ 2,01 через вищий рівень однорідності, характерний для цих кристалів. Температурну залежність часів спінової релаксації для ізольованого центра Mn2+ у кристалах Cd1–xMnxTe з x < 0,001 описано з використанням процесу Орбаха для TM–1 та Раманівського двофононного процесу для T1–1.

Ключові слова: ЕПР, час спінової релаксації, марганець, телурид кадмію марганцю.


Назад до 25 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.