Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (3), P. 289-293 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.03.289


Особливості вольт-фарадної характеристики структури метал-ізолятор-нанодріт
С.Г. Петросян, С.Р. Нерсесян

Institute of Radiophysics and Electronics, NAS of Armenia, 0203 Ashtarak, Armenia
Е-mail: stepan.petrosyan@rau.am

Анотація. Теоретично досліджено квазістатичні вольт-фарадні характеристики структури метал-ізолятор-нанодріт з урахуванням поверхневих станів на межі нанодріт-ізолятор. При малих радіусах можливий випадок, коли весь об’єм нанодроту виснажується до початку інверсії типу провідності біля поверхні. При цьому спостерігається сильне відхилення вольт-фарадної характеристики від такої в стандартній структурі метал-ізолятор-нанодріт: зі збільшенням напруги ємність структури прямує не до постійного значення, який дорівнює ємності шару діелектрика, а до нуля.

Ключові слова: нанодріт, ємність, поверхневі стани, структура метал-ізолятор-нанодріт.


Назад до 25 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.