Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (3), P. 323-330 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.03.323


Вплив товщини фронтального металевого шару платини в ультрафіолетових фотоприймачах Шотткі на основі GaN
F. Bouzid1,*, F. Pezzimenti2

1Research Center in Industrial Technologies CRTI, P.O. Box 64, Cheraga, 16014 Algiers, Algeria
2DIIES-Mediterranea University of Reggio Calabria, Reggio Calabria 89122, Italy
*Corresponding author email: f.bouzid@crti.dz

Анотація. У цій роботі оцінено вплив товщини фронтального металевого шару на електрооптичні характеристики ультрафіолетового (УФ) детектора з бар’єром Шотткі на основі нітриду галію n-типу (n-GaN) за допомогою точного моделювання приладу та чисельного моделювання. Після порівняння вольт-амперних характеристик J(V), розрахованих з використанням різних металів, було виявлено, що найбільш придатним металом для формування контакта Шотткі є платина (Pt). Отримані результати показують, що товщина фронтального платинового контакта Шотткі сильно впливає на спектральну чутливість детектора в розглянутому УФ-діапазоні 0,2…0,4 мкм. Зокрема, при кімнатній температурі чутливість детектора може досягати пікового значення 0,208 A·W–1 для довжини хвилі 0,364 мкм і напівпрозорого шару Pt товщиною всього 1 нм. Потім воно поступово зменшується зі збільшенням товщини металевого шару до 0,147 A·W–1 для Pt товщини 100 нм.

Ключові слова: нітрид галію, бар’єр Шотткі, ультрафіолетовий детектор, фотострум, чутливість.


Назад до 25 (3)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.