@article{Belyaev2026Metastable,
  author   = {О.Є. Бєляєв},
  title    = {Метастабільні дефекти в III-нітридах (Огляд)},
  journal  = {Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics},
  year     = {2026},
  volume   = {29},
  number   = {3},
  pages    = {283--291},
  doi      = {10.15407/spqeo29.03.283},
  url      = {https://doi.org/10.15407/spqeo29.03.283},
  language = {Ukrainian},
  abstract = {Метастабільні стани в III-нітридах (AlN, GaN, InN та їхні сплави) є важливою темою в матеріалознавстві, фізиці приладів та епітаксіальному вирощуванні, оскільки ці сполуки демонструють численні конкуруючі кристалічні структури, конфігурації дефектів та фазову поведінку, які сильно впливають на оптичні, електричні та механічні властивості. Стаття являє собою стислий, структурований оглядовий виклад, що охоплює основні концепції, механізми, експериментальні прояви, теоретичні підходи та значення для приладів. Обговорюються дії, які слід запропонувати, щоб уникнути впливу метастабільних дефектів у пристроях на основі III-нітридів. Уникнення ефектів метастабільних дефектів у пристроях на основі  III-нітридів вимагає запобігання їх утворенню (шляхом контролю росту та легування), стабілізації їхньої електронної конфігурації (шляхом відпалу або оптичної активації) та проєктування архітектур приладів, які мінімізують переходи, індуковані полем або температурою. Ці комбіновані дії забезпечують необхідну густину носіїв заряду, вищу рухливість та чудову оптичну і електричну надійність у пристроях на основі GaN, AlGaN та InGaN.},
  keywords = {метастабільні дефекти, III-нітриди, електронна конфігурація, переходи, викликані полем або температурою}
}