@article{Milenin2026Nonequilibrium,
  author   = {Г.В. Міленін and Р.А. Редько},
  title    = {Нерівноважні процеси трансформації дефектів у напівпровідниках, стимульовані нетепловою дією надвисокочастотного випромінювання та магнітних полів},
  journal  = {Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics},
  year     = {2026},
  volume   = {29},
  number   = {3},
  pages    = {323--331},
  doi      = {10.15407/spqeo29.03.323},
  url      = {https://doi.org/10.15407/spqeo29.03.323},
  language = {Ukrainian},
  abstract = {Показано, що атермічна дія магнітних і надвисокочастотних електромагнітних полів на напівпровідникові кристали спричиняє перехід ансамблю дефектів із термодинамічно рівноважного в нерівноважний стан. Після припинення дії зовнішніх полів спостерігається процес термоактиваційного переміщення – релаксації ансамблю дефектів до термодинамічно рівноважного стану, який характеризується часом релаксації. Сформульовано критерій втрати дефектами стійкості рівноважного стану, що дає змогу визначити порогові значення параметрів зовнішніх полів, які спричиняють формування нерівноважного стану системи дефектів у напівпровідникових структурах. Представлено електрорезонансні механізми створення нерівноважного стану ансамблів лінійних і точкових дефектів у напівпровідниках. Доведено, що релаксація системи дефектів у часі описується функцією розподілу Вейбулла–Гнєденка, параметр масштабу якої є часом релаксації ансамблю дефектів під час переходу з нерівноважного в рівноважний стан. Продемонстровано узгодження результатів експериментальних досліджень процесів релаксації інтегральної фотолюмінесценції структур n-GaAs і n-GaN, стимульованої атермічною обробкою надвисокочастотним випромінюванням, із теоретичними уявленнями.},
  keywords = {напівпровідник, дефект, рівноважний стан, нерівноважний стан, надвисокочастотне випромінювання, магнітне поле, резонансні явища, випадкова подія, розподіл Вейбулла–Гнеденка, релаксація, час релаксації, фотолюмінесценція}
}