@article{Niftiyev2026EPR,
  author   = {N.N. Niftiyev},
  title    = {ЕПР-властивості монокристала MnGaInS4},
  journal  = {Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics},
  year     = {2026},
  volume   = {29},
  number   = {3},
  pages    = {332--335},
  doi      = {10.15407/spqeo29.03.332},
  url      = {https://doi.org/10.15407/spqeo29.03.332},
  language = {Ukrainian},
  abstract = {Властивості ЕПР монокристала MnGaInS4 досліджували в діапазоні температур 5,6–103 K. За низьких температур (5,6 K) кристал знаходиться в антиферомагнітній фазі, лінія широка (ΔH ≈ 234 G) та має гаусcову форму. Зі збільшенням температури лінія звужується та набуває лоренцевої форми, що свідчить про збільшення спін-ґраткових взаємодій. Температурна залежність ширини резонансної лінії пояснюється моделлю Кубо–Андерсона, час релаксації τ короткий за низьких температур (τ ≈ 2,4·10–10 с) та довгий за високих температур. Зі збільшенням температури g-фактор зростає від 1,99 до 2,00, що пов’язано з тепловим розши-ренням кристалічної ґратки та посиленням спін-орбітальних взаємодій. Інтенсивність сигналу ЕПР зростає зі збільшенням температури, що пов’язано з тим, що зі збільшенням температури більше спінових центрів беруть участь у резонансному процесі, долаючи енергетичний бар’єр. Таким чином, було чітко визначено температурно-залежні магнітні фазові переходи, динаміку спіну та зміну g-фактора у монокристалі MnGaInS4. Ці результати вказують на потенціал матеріалу для майбутніх магнітних та спінтронічних застосувань.},
  keywords = {MnGaInS4, ЕПР, g-фактор, ширина резонансної лінії, час релаксації}
}