@article{Avradopoulos2026DiamondDoping,
  author   = {I. Avradopoulos and V. Giosis and K. Katsanos and A. Chroneos and R.V. Vovk},
  title    = {Перспектива легування алмазу для квантових обчислювальних застосувань},
  journal  = {Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics},
  year     = {2026},
  volume   = {29},
  number   = {3},
  pages    = {336--343},
  doi      = {10.15407/spqeo29.03.336},
  url      = {https://doi.org/10.15407/spqeo29.03.336},
  language = {Ukrainian},
  abstract = {Алмаз не є основним матеріалом для наноелектронних застосувань, незважаючи на його чудові фізичні властивості. Існує багато проблем у розробці ефективних напівпровідникових приладів на основі алмазу. У цій перспективі ми зосереджуємося на введенні легуючих домішок за допомогою різних методів легування (термічне легування, дифузія, дельта-легування, хімічне осадження з парової фази (CVD) тощо). Формування легованого n-типу алмазу з використанням звичайних легуючих домішок, таких як фосфор (P), є складним завданням. Азот (N) можна вводити разом з бором (B) за допомогою спільного легування. Формування легованих p-типу областей в алмазі є менш проблематичним порівняно з легованими n-типу областями. Це пояснюється тим, що B є відповідною акцеп-торною легуючою домішкою, і крім того, існує можливість формування H-алмазу, який також є акцептором. Наразі мрія про алмазний транзистор поступилася місцем його застосуванню в галузі квантових обчислень. У поточному контексті ми розглядаємо легування n- та p-типу в алмазі, зосереджуючись на труднощах, пов’язаних з легованим  n-типу алмазом. Ми розглядаємо інтеграцію алмазу в квантові обчислення з урахуванням пар азот-вакансія.},
  keywords = {алмаз, легування, точкові дефекти, дислокації, кластери дефектів, магнітне поле, мікрохвильове випромінювання}
}