TY  - JOUR
AU  - Sadigov, A.
AU  - Mammadli, A.
AU  - Ahmadov, G.
AU  - Ahmadov, F.
AU  - Berikov, D.
AU  - Mustafayev, E.
AU  - Temirzhanov, A.
AU  - Mendibayev, K.
AU  - Arystambayeva, A.
AU  - Kenessarin, M.
AU  - Huseynzada, K.
AU  - Bacherikov, Yu.Yu.
TI  - Радіаційна стійкість електричних параметрів кремнієвих PIN фотодіодів
JF  - Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics
PY  - 2026
VL  - 29
IS  - 3
SP  - 383
EP  - 388
DO  - 10.15407/spqeo29.03.383
UR  - https://doi.org/10.15407/spqeo29.03.383
AB  - Досліджено радіаційну стійкість основних електричних параметрів кремнієвих PIN фотодіодів, що піддавалися гамма-опроміненню у високих дозах. Кремнієві PIN фотодіоди з активною площею 3,7×3,7 мм2, виготовлені за допомогою технології іонної імплантації, піддавалися гамма-випромінюванню Co-60 у накопичених дозах 10, 40, 70 та 100 кГр. Було систематично проаналізовано еволюцію темнового струму (Idk), вольт-ємнісних характеристик (V–C), амплітуди імпульсу та енергетичної роздільної здатності. Експериментальні результати показують, що повна ємність фотодіодів залишалася стабільною (182 пФ) навіть після опромінення 100 кГр, що свідчить про високу структурну стійкість області виснаження. Навпаки, темновий струм демонстрував дозозалежне збільшення, збільшуючись у 1,6 рази при 100 кГр під зворотним зміщенням 50 В. Це збільшення пояснюється радіаційно-індукованими центрами генерації-рекомбінації, що утворюються у внутрішньому шарі пристрою. Крім того, гамма-опромінення привело до зменшення амплітуди імпульсу на 14,5 ± 1,4% та зміни енергетичної роздільної здатності на 20,5 ± 2%, що відображає вплив процесів захоплення та рекомбінації носіїв заряду, спричинених дефектами. Незважаючи на ці ефекти, фотодіоди зберігали робочу стабільність після тривалого опромінення та подальшого моніторингу. Отримані результати підтверджують, що кремнієві PIN фотодіоди, виготовлені методом іонної імплантації, демонструють високу радіаційну стійкість і можуть вважатися перспективними кандидатами для роботи в середовищах з високим рівнем радіації, включаючи радіаційний моніторинг та дозиметричні застосування.
KW  - Si-PIN
KW  - PIN фотодіоди
KW  - темновий струм
KW  - гамма-опромінення
LA  - Ukrainian
ER  -