Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (4), P. 387-390(2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.04.387
Вплив аніонного заміщення на електропровідність композитів на основі рідкого кристала з наночастинками Cu6PS5X (X = I, Br)
І.П. Студеняк1, О.В. Ковальчук2,3,4, С.І. Побережець3, M. Timko5, P. Kopčanský5
2Київський національний університет технологій та дизайну,
2, вул. Немировича-Данченка, 01011 Київ, Україна
3Інститут фізики НАН України
46, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
4Національний технічний університет України
«Київський політехнічний інститут ім. Ігоря Сікорського»
37, проспект Перемоги, 03056 Київ, Україна
5Institute of Experimental Physics, Slovak Academy of Sciences,
47, Watsonova Str., 04001, Košice, Slovakia
E-mail: studenyak@dr.com; akoval@knutd.com.ua
Анотація. Досліджено діелектричні властивості композитів на основі планарно орієнтованого рідкого кристала 6СВ з наночастинками Cu6PS5X (X = I, Br) при 293 K у діапазоні частот 6...106 Гц. Концентрація наночастинок змінювалася від 0 до 0,1 мас.%. Було показано, що наночастинки Сu6PS5Вr значно менше впливають на провідність 6CB, ніж на наночастинки Cu6PS5I [1]. Більше того, при концентраціях наночастинок Cu6PS5Br 0,01–0,05 мас.% провідність рідкого кристала зменшується. Передбачається, що немонотонна залежність провідності 6CB від концентрації суперіонних наночастинок Cu6PS5Br викликана двома конкуруючими механізмами: збільшення провідності за рахунок введення провідних домішок з наночастинками та зниження електропровідності, спричинене адсорбцією домішок на поверхні наночастинок.
Ключові слова: суперіонні провідники, рідкий кристал, діелектрична проникність, електропровідність, концентраційна залежність.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.