Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (4), P. 418-423(2019).
Низькотемпературний транспорт заряду в жгутах одностінних вуглецевих нанотрубок з дефектами, викликаними радіацією
Анотація. Досліджено властивості електричного транспорту та магнітоопір металевих одностінних вуглецевих нанотрубок, опромінених потоком електронів енергією ~ 1 МеВ або Co60 гамма квантами, в широкому температурному діапазоні 1,8…200 K та в магнітних полях до 5 Т. Степенева залежність провідності від температури, що спостерігається в діапазоні температур від 50 до 200 K, характерна для провідності квазіодновимірних систем в моделі електронного газу як рідини Латтінжера. Зміна показника степеня α з дозою опромінення та його відхилення порівняно з α для неопромінених зразків пов’язане зі зміною кількості провідних каналів у пучках внаслідок появи радіаційних дефектів. При температурі нижчій ніж 50 K реалізується тривимірна стрибкова провідність Мотта. За допомогою виміряної залежності провідності від температури та електричного поля визначено густину енергетичних станів електронів поблизу рівня Фермі, які беруть участь у транспорті заряду, та довжину локалізації носіїв заряду в даних станах. В області стрибкової провідності типу Мотта магнітоопір негативний у всьому діапазоні полів, при великих значеннях магнітного поля спостерігалося позитивне зростання. Обговорено механізми негативної та позитивної частин магнітоопору. Ключові слова: металеві одностінні вуглецеві нанотрубки, електричний транспорт, магнітоопір, стрибкова провідність, довжина локалізації, опромінення. This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.
|