Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (4), P. 418-423(2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.04.418


Низькотемпературний транспорт заряду в жгутах одностінних вуглецевих нанотрубок з дефектами, викликаними радіацією
В.В. Вайнберг, В.М. Порошин, О.С. Пилипчук, М.О. Тріпачко, І.І. Ясковець

Інститут фізики НАН України, 03680 Київ, Україна

Анотація. Досліджено властивості електричного транспорту та магнітоопір металевих одностінних вуглецевих нанотрубок, опромінених потоком електронів енергією ~ 1 МеВ або Co60 гамма квантами, в широкому температурному діапазоні 1,8…200 K та в магнітних полях до 5 Т. Степенева залежність провідності від температури, що спостерігається в діапазоні температур від 50 до 200 K, характерна для провідності квазіодновимірних систем в моделі електронного газу як рідини Латтінжера. Зміна показника степеня α з дозою опромінення та його відхилення порівняно з α для неопромінених зразків пов’язане зі зміною кількості провідних каналів у пучках внаслідок появи радіаційних дефектів. При температурі нижчій ніж 50 K реалізується тривимірна стрибкова провідність Мотта. За допомогою виміряної залежності провідності від температури та електричного поля визначено густину енергетичних станів електронів поблизу рівня Фермі, які беруть участь у транспорті заряду, та довжину локалізації носіїв заряду в даних станах. В області стрибкової провідності типу Мотта магнітоопір негативний у всьому діапазоні полів, при великих значеннях магнітного поля спостерігалося позитивне зростання. Обговорено механізми негативної та позитивної частин магнітоопору.

Ключові слова: металеві одностінні вуглецеві нанотрубки, електричний транспорт, магнітоопір, стрибкова провідність, довжина локалізації, опромінення.

Текст статті (PDF)


Назад до 22 (4)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.