Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (4), P. 424-429(2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.04.424
Чисельний аналіз впливу наночастинок алюмінію на характеристики тонкоплівкового сонячного елемента
О.В. Гниленко1, С.В. Плаксін2
2Інститут транспортних систем і технологій НАН України
5, вул. Писаржевського, 49056, Дніпро, Україна
E-mail: svp@westa-inter.com
Анотація. Методами комп’ютерного моделювання досліджено вплив параметрів шару алюмінієвих наночастинок на характеристики тонкоплівкового сонячного елемента з аморфного кремнію. Розглянуто конструкцію з регулярним розміщенням наночастинок одночасно на фронтальному та тильному боках сонячного елемента. Отримано розподіл швидкості фотогенерації в шарі аморфного кремнію при різних значеннях радіуса наночастинок. Вивчено вплив радіуса наночастинок і відстані між наночастинками на електричні характеристики сонячного елемента. Показана можливість при оптимальних параметрах наночастинок значно збільшити коефіцієнт корисної дії сонячного елемента.
Ключові слова: Silvaco TCAD, аморфний кремній, швидкість фотогенерації, вольт-амперні характеристики, коефіцієнт корисної дії.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.