Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (4), P. 355-361 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.04.355
Перерозподіл центрів випромінювальної рекомбінації в структурах SiC/por-SiC та SiC/por-SiC/Er2O3 за нетепловою дією мікрохвильового випромінювання
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, 41, проспект Науки, 03680 Київ, Україна
Анотація.
У даній роботі розглянуто вплив короткочасної нетеплової дії мікрохвильового випромінювання на фотолюмінесцентні характеристики структур SiC/por-SiC/Er2O3 та SiC/por-SiC. Аналіз спектрів фотолюмінесценції цих структур при збудженні випромінюванням з енергією, меншою за ширину забороненої зони кристалічної підкладки 4H-SiC, показав, що короткочасна дія мікрохвильового випромінювання приводить до перерозподілу центрів випромінювальної рекомбінації, що зумовлено поверхневими станами у шарі por-SiC.
Ключові слова: нетеплова мікрохвильова дія, буферний пористий шар, фотолюмінесценція, комбінаційне розсіювання, карбід кремнію..
О.Б. Охріменко, Ю.Ю. Бачеріков, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, Р.В. Конакова
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.