Київський національний університет імені Тараса Шевченка, Факультет радіофізики,
електроніки та комп’ютерних систем, 4г, проспект Академіка Глушкова, 03187 Київ, Україна

Анотація. У статті описується літографія в нанометровому масштабі на атомарно чистій поверхні Ge(111)-c(2×8), виконана в надвисоковакуумному сканувальному тунельному мікроскопі, що працює при 300 K. З використанням стандартного вістря Pt80Ir20 і застосуванням напруги зміщення між 0,5 і 3 В за абсолютною величиною, поверхня германію може бути досліджена з атомною роздільною здатністю без будь-яких модифікацій зразка. Однак під напругою зміщення від 4 до 5 В за абсолютною величиною відбувалася дуже локалізована модифікація поверхні під вершиною вістря. Така модифікація може відбуватися у формі осадження матеріалу вістря на сканованій ділянці зразка або вилучення матеріалу зразка, або утворення дефектів у кристалічній структурі зразка. Обговорюються можливі фізичні механізми вищеописаних процесів, а також стратегії досягнення надійної сканувальної зондової нанолітографії.

Ключові слова: cканувальна тунельна мікроскопія, германій, платина, іридій, нанолітографія.

Назад до 25 (4)