Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (4), P. 385-393 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.04.385
Дифузія фосфору в технології виготовлення кремнієвих p-i-n фотодіодів
Акціонерне центральне конструкторське бюро РИТМ, 58032 Чернівці, Україна
Анотація.
Проведено порівняльну характеристику дифузії фосфору з планарних джерел та рідиннофазної дифузії з використанням PCl3 у технології виготовлення кремнієвих p-i-n фотодіодів. Зроблено кількісний аналіз дислокацій, утворених при різних варіантах та режимах дифузії. Досліджено вплив кількості дислокацій на густину темнового струму та фоточутливість фотоприймачів. Наведено таблицю для оцінки поверхневого опору за кольором фосфоросилікатного скла після легування фосфором.
Ключові слова:фотодіод, дифузія фосфору, дислокація, темновий струм, чутливість.
М.С. Кукурудзяк
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.