Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (4), P. 394-397 (2022).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.04.394


Дифузійна довжина нерівноважних носіїв струму в нанодротових радіальних p-n переходах: роль кривизни
В.Л. Борблик

Акціонерне центральне конструкторське бюро РИТМ, 58032 Чернівці, Україна

Анотація. У нанодротових типу ядро-оболонка радіальних p-n переходах просторовий (вздовж радіуса) розподіл інжектованих носіїв визначається не тільки рекомбінаційним спаданням концентрації нерівноважних носіїв, але також специфічним спаданням, зумовленим циліндричною симетрією структури. Це змушує нас говорити про ефективну дифузійну довжину нерівноважних носіїв у нанорозмірних радіальних структурах. Така ефективна дифузійна довжина виявляється більшою (до 25%), ніж дифузійна довжина у звичайних планарних p-n переходах (виготовлених з того самого матеріалу) у випадку інжекції з оболонки в ядро і меншою за неї (до 60%) при інжекції з ядра в оболонку.

Ключові слова:нанодріт типу ядро-оболонка, радіальний p-n перехід, нерівноважні носії струму, дифузійна довжина.


Назад до 25 (4)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.