Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (1), P. 005-040 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.01.005
Фізичні механізми, що забезпечують формування омічних контактів метал-напівпровідник (огляд)
A.В. Саченко, Р.В. Конакова, О.Є. Бєляєв
Анотація. Цей огляд присвячений викладу та аналізу фізичних механізмів формування омічних контактів у напівпровідниках. Окрім класичних механізмів, відомих протягом десятиліть, описано нові механізми проходження струму в омічних контактах, досліджені протягом останніх десяти років. Автори огляду зробили вагомий внесок в експериментальні дослідження та теоретичне моделювання цих механізмів. Серед нових механізмів проходження струму необхідно відзначити механізм, пов’язаний з рухом носіїв заряду по дислокаціях, поєднаних з металевими шунтами. Він реалізується, зокрема, на шліфованих поверхнях напівпровідників. Також досліджено механізм, який описує проходження струму при наявності сходинки легування, та механізм, який реалізується при зменшенні заряду поверхневих станів у випадку сильного легування напівпровідника. Характерними особливостями названих механізмів проходження струму є наявність зростаючих в певних температурних інтервалах величин питомого контактного опору, а також омічність контактів аж до гелієвих температур.
Ключові слова: омічні контакти, гелієві температури, контакт метал-напівпровідник, поверхневі стани, механізми проходження струму, питомий контактний опір.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.