Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (1), P. 065-072
(2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.01.065
Електронні властивості 2D-2D композиту графен/ZNO
Р.М. Балабай, А.В. Здещиц, Д.В. Залевський
Анотація. Досліджено вплив середнього радіуса та його дисперсії напівпровідникових квантових точок (КТ), що використовуються в люмінесцентних сонячних концентраторах (ЛСК), на реабсорбцію. Для мінімізації шкідливих втрат реабсорбції в ЛCК розглянуто шість напівпровідників, що використовуються для виготовлення КТ з широким діапазоном об’ємної забороненої зони Eg0, зокрема: CdS (Eg0 = 2.42 eV), CdSe, (Eg0 = 1.67 eV), CdTe, (Eg0 = 1.5 eV), InP (Eg0 = 1.27 eV), InAs (Eg0 = 0.355 eV) та PbSe (Eg0 = 0.27 eV). Змінюючи і , можна визначити оптимальний розмір для мінімальної реабсорбції. Як було показано, зменшуючи величину напівпровідникової об’ємної забороненої зони з 2,42 до 1,24 еВ, можна отримати такий оптимальний розмір КТ , що реабсорбція призводить до зниження навіть нижчого, ніж комбінована експериментальна похибка визначення коефіцієнта поглинання та інтенсивності люмінесценції. Однак подальше зменшення забороненої зони Eg0 збільшує реабсорбцію при будь-яких значеннях і : наприклад, для основаних на PbSe КТ радіуса 1 нм і дисперсії 1% реабсорбція досягає 54%.
Ключові слова: композити, графен, оксид графену, ZnO, функціонал електронної густини, перші принципи, псевдопотенціал, електронна структура.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.