Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (1), P. 065-072 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.01.065


Електронні властивості 2D-2D композиту графен/ZNO
Р.М. Балабай, А.В. Здещиц, Д.В. Залевський

Криворізький Державний Педагогічний Університет 54, проспект Гагаріна, 50085 Кривий Ріг, Україна

Анотація. Досліджено вплив середнього радіуса та його дисперсії напівпровідникових квантових точок (КТ), що використовуються в люмінесцентних сонячних концентраторах (ЛСК), на реабсорбцію. Для мінімізації шкідливих втрат реабсорбції в ЛCК розглянуто шість напівпровідників, що використовуються для виготовлення КТ з широким діапазоном об’ємної забороненої зони Eg0, зокрема: CdS (Eg0 = 2.42 eV), CdSe, (Eg0 = 1.67 eV), CdTe, (Eg0 = 1.5 eV), InP (Eg0 = 1.27 eV), InAs (Eg0 = 0.355 eV) та PbSe (Eg0 = 0.27 eV). Змінюючи і , можна визначити оптимальний розмір для мінімальної реабсорбції. Як було показано, зменшуючи величину напівпровідникової об’ємної забороненої зони з 2,42 до 1,24 еВ, можна отримати такий оптимальний розмір КТ , що реабсорбція призводить до зниження навіть нижчого, ніж комбінована експериментальна похибка визначення коефіцієнта поглинання та інтенсивності люмінесценції. Однак подальше зменшення забороненої зони Eg0 збільшує реабсорбцію при будь-яких значеннях і : наприклад, для основаних на PbSe КТ радіуса 1 нм і дисперсії 1% реабсорбція досягає 54%.

Ключові слова: композити, графен, оксид графену, ZnO, функціонал електронної густини, перші принципи, псевдопотенціал, електронна структура.

Текст статті (PDF)


Назад до 21 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.