Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (1), P. 011-018 (2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.01.011
Методика обробки результатів вимірювань параметрів омічних контактів
О.Є. Бєляєв1, М.С. Болтовець2, Р.В. Конакова1, В.М. Ковтонюк2,1, Я.Я. Кудрик1, В.В. Шинкаренко1, M.M. Дуб1, П.O. Сай1, С.В. Новицький3
2Державне підприємство «Науково-дослідний інститут «Оріон», Київ, Україна
3Житомирський державний університет ім. Івана Франка
40, вул. Велика Бердичівська, 10008 Житомир, Україна
Анотація. Розроблено методику обробки результатів електрофізичних досліджень омічних контактів, яка дозволяє підвищити точність розрахунку контактного опору та отримати додаткову інформацію на основі аналізу статистичних та просторових розподілів вхідних даних. Для апробації методики використано контакт Au–Ge–TiB2–Au до n-n+-GaAs. Проаналізовано частотний та просторовий розподіл повного опору, питомого контактного опору та поверхневого опору напівпровідника. З урахуванням лінійного градієнта питомого опору уточнено значення контактного опору. Отримано зменшення півширини розподілу на 14%, тобто відповідне зменшення похибки у визначенні контактного опору. Методика розроблена для коректного аналізу впливів технологічних обробок та деградаційних процесів і зорієнтована на дослідницькі цілі. Оцінка градієнтних розподілів контактного опору та опору напівпровідника може бути використана для виявлення вад технологічних процесів виготовлення приладів.
Ключові слова: питомий контактний опір, електрофізична діагностика, омічний контакт.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.