Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 22 (1), P. 034-038 (2019).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo22.01.034
Особливості дослідження багатошарової контактної структури Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si до лавинно-пролітних діодів
П.М. Романець1, Р.В. Конакова1, М.С. Болтовець2, В.В. Басанець2, Я.Я. Кудрик1, В.С. Сліпокуров1
2Державне підприємство «Науково-дослідний інститут «Оріон», Київ, Україна
Анотація. Запропоновано метод електрофізичної діагностики омічних контактів до n+-n-n+ структур для потужних кремнієвих лавинно-пролітних діодів. Досліджено питомий опір омічних контактів Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si та механізм струмопроходження в інтервалі температур 100–360 K. Запропоновано узагальнений спосіб дослідження температурної залежності питомого контактного опору на випадок багатошарових структур з неоднорідним рівнем легування. Значення питомого контактного опору розраховані з температурної залежності загального опору вертикальної структури. Наведений метод може використовуватися для контролю електрофізичних параметрів омічних контактів між циклами травлення у технології виготовлення потужних кремнієвих лавинно-пролітних діодів.
Ключові слова: питомий опір, омічний контакт, лавинно-пролітний діод, термопольова емісія, термоелектронна емісія.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.