Анотація. Проаналізовано можливі механізми трансформації дефектів напівпровідникових структур при дії електромагнітного випромінювання надвисокочастотного діапазону та імпульсного магнітного поля. Розглянуто електрорезонансні ефекти при нетепловій дії електромагнітних полів: резонансні відкріплення дислокацій і розпад домішкових комплексів у напівпровідникових кристалах, електрорезонансна трансформація дефектів у напівпровідникових кристалах при дії слабких імпульсних магнітних полів; магніторезонансний вплив на дефекти у напівпровідникових кристалах при дії слабких магнітних та електромагнітних полів. Показано, що для пояснення великої кількості надійно встановлених магнітоіндукованих ефектів та явищ, пов’язаних з нетепловими впливами мікрохвильових полів, слід залучати альтернативні механізми взаємодії. Найбільш вірогідними є спін-залежні реакції у парамагнітних дефектах напівпровідникових кристалів, внаслідок чого відбувається відкріплення та подальше переміщення дислокацій у полі внутрішніх напружень, та резонансні явища різної природи, які, взагалі кажучи, не потребують великих енергій і реалізуються тоді, коли збігаються частоти коливань системи та зовнішнього збуджувача. Різке зростання амплітуди коливань приводить до відкріплення дислокацій і розпаду домішкових комплексів з подальшим переміщенням і дифузією під дією мозаїки внутрішніх напружень кристала. Показано принципову фізичну ідентичність впливу слабкого магнітного поля і нетеплової дії мікрохвильового випромінювання на напівпровідниковий матеріал.

Ключові слова: мікрохвильове випромінювання, нетеплова дія, слабке магнітне поле, резонансні явища, переорієнтація спіну.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 22 (1)