Анотація. Досліджено фотоелектричні властивості монокристалів 3С-SiC, отриманих при термічному розкладанні метилтрихлорсилану з додаванням бору в процесі вирощування або використання дифузії у спеціально нелегованих кристалах. Зразки, леговані бором, демонструють смугу світлочутливості в межах 1,3… 2,0 еВ з піком біля 1,7 еВ. Легування монокристалів 3С-SiC домішкою В призводить до появи ефективного рекомбінаційного центра з тепловою енергією активації 0,27  0,02 еВ у забороненій зоні та до розширення спектральної чутливості матеріалу в межах довгохвильового діапазону домішки. Наявність бору приводить до зміни температурної залежності фотопровідності від характеристики розпаду до характеристики активації. Це дозволить розширити температурний діапазон роботи пристроїв на основі 3C-SiCB до 500 °С і вище. Крім того, люкс-амперна характеристика стає лінійною, тобто зручнішою з метрологічної точки зору. Залежно від типу легування зразків 3C-SiCB виявляються виражені зміни положень ліній у спектрах фотолюмінесценції у ближньому інфрачервоному діапазоні.

Ключові слова: кубічний карбід кремнію, легування бором, фотопровідність, фотолюмінесценція.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 22 (1)