Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24 (1), P. 16-21 (2021).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo24.01.016
Модифіковані рівняння польового та термоіонно-польового випромінювання
для бар’єрних діодів Шотткі у зворотному режимі
LPMRN Laboratory, Department of Materials Science, Faculty of Sciences and Technology, Анотація.
У цій теоретичній роботі автор модифікував співвідношення струм-напруга у моделях польового та
термоіонно-польового випромінювання, розроблених Падовані та Страттоном для бар’єрних діодів Шотткі в
умовах зворотного зміщення з урахуванням корекції сил зображення. У цьому підході розглянуто форму
бар’єра Шотткі як трапецієподібну. Отримані результати добре узгоджуються з густинами струму,
розрахованими в рамках цих розроблених моделей, та тими, що розраховуються за загальною моделлю.
Ключові слова: тунельний струм, польове випромінювання, термоіонно-польове випромінювання, діод
Шотткі, сили зображення, трапецієподібний бар’єр.
A. Latreche
University of Mohamed El Bachir El Ibrahimi,
Bordj-Bou-Arreridj 34030, Algeria
E-mail: hlat26@ yahoo.fr.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.