Uzhhorod National University, 54, Voloshin str., 88000 Uzhhorod, Ukraine
* Corresponding author e-mail: vasyl.vakulchak@uzhnu.edu.ua

Анотація. З перших принципів у рамках теорії функціонала густини у LDA та LDA+U-наближеннях проведено розрахунки зонної структури, повної і парціальної густин електронних станів, просторового розподілу густини електронного заряду та оптичних функцій: діелектричної проникності, показників заломлення та поглинання, коефіцієнтів відбивання та поглинання Na 2 GeSе 3 . За результатами розрахунку Na 2 GeSе 3 є прямозонним кристалом із вершиною валентної зони та дном зони провідності у точці Г зони Бриллюена. Розрахована ширина забороненої зони становить E gd = 1.7 еВ в LDA і E gd = 2.6 еВ у LDA+U- наближенні. За даними повної і парціальних густини електронних станів визначено вклади атомних орбіталей у кристалічні орбіталі, а також отримано дані про формування хімічного зв’язку у досліджуваних кристалах.

Ключові слова: кремній, термодонор, нікель, легування, термостабільність.

Текст статті (PDF)

Посилання

Назад до 25 (1)