Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (1), P. 017-024 (2023).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.01.017


Інтегральна динамічна фазоваріаційна дифрактометрія монокристалів з дефектами трьох і більше типів
В.Б. Молодкін1, В.Е. Сторижко2, В.П. Кладько3, В.В. Лізунов1, Г.І. Низкова1, O.Й. Гудименко3, С.Й. Оліховський, М.Г. Толмачов1, С.В. Дмітрієв1, І.І. Демчик1*, Є.І. Богданов1, Б.І. Гінько1

1G.V. Kurdyumov Institute for Metal Physics, NAS of Ukraine,
36, Academician Vernadsky Blvd., UA-03142 Kyiv, Ukraine
2Institute of Applied Physics, NAS of Ukraine, 58, Petropavlivs’ka str., 40000 Sumy, Ukraine
3V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 41, prosp. Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine
*Corresponding author e-mail: rudnytskaya@ukr.net

Анотація. Проведено узагальнення методів цілеспрямованого впливу взаємопов’язаних варіацій різних умов експерименту на зміну вибірковості чутливості азимутальної залежності повної інтегральної інтенсивності динамічної дифракції до різних типів дефектів у монокристалах. У результаті розроблено вдосконалені фазоваріаційні методи з додатково підвищеною чутливістю та інформативністю неруйнівної структурної діагностики багатопараметричних монокристалічних систем.

Ключові слова: фазоваріаційна діагностика, азимутальна залежність, дефект.

Текст статті (PDF)


Назад до 26 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.