Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (1), P. 025-029 (2023).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.01.025

Моделювання характеристик високоефективних текстурованих сонячних елементів на основі кристалічного кремнію. Вплив рекомбінації в області просторового заряду
Г.В. Міленін2, Р.A. Редько1

1V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine,
41, prospect Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine
2State University of Telecommunications, 7, Solomenska str., 03110 Kyiv, Ukraine
E-mail: milenin.gv@gmail.com; redko.rom@gmail.comm

Анотація. Проаналізовано особливості генерації електромагнітного випромінювання напівпровідниковими кристалами у схрещених електричному та магнітному полях. Наведено аналітичні співвідношення для розрахунку потужності циклотронного випромінювання. Отримані результати становлять інтерес з метою отримання джерел електромагнітного випромінювання терагерцового діапазону частот.

Ключові слова: напівпровідниковий кристал, електричне поле, магнітне поле, циклотронне випромінювання, терагерцове випромінювання.

Текст статті (PDF)


Назад до 26 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.