Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (1), P. 030-035 (2023).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.01.030

Електричні властивості монокристалів 6H-SiC з високим вмістом азоту: дослідження мікрохвильовим резонаторним методом
Д.В. Савченко1,2,*, Д.М. Яцик1, O.M. Генкін1, Ю.Ф. Носачев1, O.В. Дрозденко1, В.I. Моісеєнко1, К.М. Калабухова3

1National Technical University of Ukraine “Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute”
37, prosp. Peremohy, 03056 Kyiv, Ukraine
2Institute of Physics of the CAS, 2 Na Slovance, 182 21 Prague, Czech Republic
3V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 41, prosp. Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine
*Corresponding author e-mail: dariyasavchenko@gmail.com

Анотація. Резонаторним методом досліджено монокристали карбіду кремнію (SiC) політипу 6H з концентрацією донорів азоту (ND – NA) ? 1•1017 ...4•1019 cm –3 , вирощені модифікованим методом Лелі. За температурною залежністю зсуву резонансної частоти та мікрохвильових втрат резонатора, завантаженого досліджуваними зразками, оцінено температурну залежність електропровідності. За температурною залежністю натурального логарифма провідності від 1000/Т визначено енергії активації процесів, що відповідають переходам електронів із домішкових рівнів у зону провідності (?1) та перестрибування електронів по донорах азоту в зонах D0 (?3). Установлено, що в 6H-SiC ?1= 50 меВ для (ND – NA) ? 1•10 17 cm –3 , ?1 = 32 меВ і ?3 = 6 меВ для (ND – NA) ? 1•1019cm–3 , ?1 = 13,5 меВ і ?3 = 3,5 меВ для (ND – NA) ? 4•1019 cm–3.

Ключові слова: провідність, SiC, резонаторний метод, енергія активації.

Текст статті (PDF)


Назад до 26 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.