Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (1), P. 049-058 (2023).
Поверхнево-підсилене раманівське розсіювання As2S3 та Se тонких плівок,
сформованих на Au наноструктурах
Анотація.
Досліджено вплив плазмонних наноструктур (НС) на спектри раманівського розсіювання світла
та структурні зміни в тонких халькогенідних плівках. Плівки As 2 S 3 і Se товщиною кілька десятків
нанометрів були осаджені методом термічного напилення на SERS-підкладки, сформовані на основі золотих
наноструктур, та, для порівняння, на скляні підкладки. Плівки на склі практично не реєструються за
допомогою раманівської спектроскопії, водночас використання в ролі SERS підкладок золотих НС дозволяє
надійно реєструвати спектри плівок As 2 S 3 і Se з наявними в них усіма особливостями, які зазвичай
проявляються тільки при дослідженні плівок товщиною ~1 мкм або більше. На підставі нашого аналізу
спектрів, отриманих з використанням випромінювання з різними довжинами хвиль, зроблено висновок, що
основний внесок у підсилення раманівського сигналу від халькогенідних плівок дає хімічний механізм
SERS. Варіювання параметрів SERS підкладок для налаштування положення плазмонної смуги в резонанс зі
збуджуючим випромінюванням дозволяє збільшити внесок плазмонного підсилення. Окрім ефекту
підсилення, локалізований плазмонний резонанс у золотих НЧ викликає локальне нагрівання халькогенідної
плівки навколо НЧ, що може приводити до локальних структурних перетворень, які можна контролювати за
допомогою раманівських спектрів.
Ключові слова: раманівське розсіювання, SERS, тонкі плівки, сульфід арсену, селен, золоті наноструктури. This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.
|