Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 26 (1), P. 089-096 (2023).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.01.089

Дослідження чутливості до гамма-випромінювання сцинтиляторних структур на основі YAG:Ce
Д.В. Пекур1*, Д.М. Хміль1, Ю.Ю. Бачеріков1, A.H. Mammadli2, J.A. Naghiyev3, N.Y. Suleymanova2, C.Y. Abbasova2, С.І. Любчик4

1V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, NAS of Ukraine, 41, prosp. Nauky, 03680 Kyiv, Ukraine
2 Institute of Radiation Problems Ministry of Science and Education of the Republic of Azerbaijan,
9, B. Vahabzade str., Baku, Azerbaijan, AZ 1143
3 Nuclear Research Department of the Innovation and Digital Development Agency,
Ministry of Digital Development and Transport of the Republic of Azerbaijan,
Gobu Settlement of Absheron dist., Baku Shamakhy HW 20 km, Baku, Azerbaijan AZ 0100
4 REQUIMTE, NOVA School of Science and Technology, University New of Lisbon, 2829-516 Caparica, Portugal
5 DeepTechLab, Universidade Lusofona, Campo Grande, 376, 1749-024 Lisboa, Portugal
* Corresponding author e-mail: demid.pekur@gmail.com

Анотація. Іонізуюче випромінювання сьогодні широко використовують для діагностики та дослідження широкого кола об’єктів завдяки високій достовірності та якості отриманих у результаті таких досліджень результатів. Використання високочутливих датчиків іонізуючого випромінювання дає змогу знизити дозу потрібного для досліджень іонізуючого випромінювання та створити чутливі системи для контролю параметрів середовища. У даній роботі досліджено ефективність датчика радіаційного випромінювання низької густини, в якому використано композитну сцинтиляційну структуру на основі порошкоподібного люмінофора YAG:Ce в ролі конвертуючого покриття фоточутливого приймача. Для джерел на основі 241 Am і 137 Cs установлено можливість реєстрації гамма-випромінювання датчиком іонізуючого випромінювання на основі композитної конвертуючої сцинтиляційної структури YAG:Ce 3+ і MAPD. Показано, що кількість виявлених гамма-променів, які випускаються джерелом 241 Am, лінійно збільшується зі збільшенням товщини композитної конвертуючої сцинтиляційної структури. Установлено, що вибрана товщина 495 мкм композитної конвертуючої сцинтиляційної структури дає змогу реєструвати кванти гамма-випромінювання, енергія яких перебуває в діапазоні 26 – 662 кеВ.

Ключові слова: iонізуюче випромінювання, сцинтиляційна структура, YAG:Ce люмінофор, датчик радіаційного випромінювання низької густини.

Текст статті (PDF)


Назад до 26 (1)

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.