Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 27 (1), P. 090-094 (2024).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo27.01.090
Асиметрія при резонансному прямому/зворотному відбитті від наноструктури метал – багатошаровий діелектрик
Анотація.
Представлено експериментальне та чисельне дослідження залежної від напрямку асиметрії резонансних оптичних характеристик наноструктури метал – багатошаровий діелектрик (МБД), яка має багато спільного з плазмонною конфігурацією Тамма. Продемонстровано, що коли структура МБД освітлюється з протилежних сторін, існує помітна асиметрія резонансів при відбитті вперед/назад, що відрізняється від строго симетричних резонансів пропускання, що вказує на класичну оптичну взаємність. Порівняльні вимірювання проводились на металевій плівці та квазіперіодичній діелектричній структурі, які ідентичні відповідним параметрам структури МБД. Асиметрія за напрямком відбиття та пропускання коротко обговорюється для модифікованої МБД структури з нелінійністю Керра.
Ключові слова:структура метал – багатошаровий діелектрик, плазмон Тамма, поверхнева мода, фотонний кристал.
С.Г. Ільченко, В.Б. Тараненко
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.