Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 21 (2), P. 167-172 (2018).
DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo21.02.167
Напилення та дослідження оптичного поглинання в тонких плівках Cu–As–S
I.П. Студеняк1, З.Р. Молнар1, I.I. Maкауз1, M.M. Пoп1, L. Daróci2, S. Kökényesi2, I. Szabo2, A. Csik3
2Faculty of Science and Technology, University of Debrecen,
18/a Bem Sq., 4026 Debrecen, Hungary,
3ATOMKI, 18/c Bem Sq., 4026 Debrecen, Hungary,
Анотація. Методом термічного випаровування отримано тонкі плівки Cu–As–S. Спектри оптичного пропускання тонких плівок Cu0.1As2.1S3.1 виміряно в діапазоні температур 77...300 K. Вивчено температурну поведінку краю поглинання тонких плівок Cu0.1As2.1S3.1. Проаналізовано температурні та концентраційні залежності оптичних параметрів тонких плівок Cu–As–S. Виявлено зменшення ширини псевдозабороненої зони та збільшення урбахівської енергії з підвищенням вмісту міді в тонких плівках Cu–As–S. Обговорено вплив процесів розупорядкування на оптичні властивості тонких плівок Cu–As–S.
Ключові слова: тонка плівка, термічне випаровування, оптичне поглинання, ширина псевдозабороненої зони, урбахівська енергія.
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NoDerivatives 4.0 International License.